RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
50
Около -72% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.3
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
18.3
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
3555
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link