RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
21.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
50
Около -67% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.8
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
21.4
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
4156
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link