RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
21.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
50
Около -67% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.8
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
21.4
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
4156
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link