RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
50
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.3
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
13.3
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
1617
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link