takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB

-->

Средняя оценка

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Средняя оценка

Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB

Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 12.4

Среднее значение в тестах

Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB

Причины выбрать
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

37 50

Около -35% меньшая задержка
Выше скорость записи

6.9 1,457.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

50 37
Скорость чтения, Гб/сек

3,757.3 12.4
Скорость записи, Гб/сек

1,457.4 6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

557 2073

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB

Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB

Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB

Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

модули RAM

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

AMD R744G2133U1S 4GB

AMD R744G2133U1S 4GB

модули RAM

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB

модули RAM

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB

Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB

Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9905678-065.A00G 8GB

Kingston 9905678-065.A00G 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB

Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB

Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB

модули RAM