RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
50
Около -67% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.2
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
16.3
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
3052
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link