RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
50
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.4
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
14.0
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2163
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link