RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
50
60
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
9.2
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.1
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
60
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
9.2
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
7.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2136
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link