RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
50
64
Около 22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
17
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.8
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
64
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
17.0
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2103
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link