Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB против G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB

-->

Средняя оценка

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Причины выбрать
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

41 73

Около 44% меньшая задержка
Выше скорость записи

7.7 7.0

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

13.4 12.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

41 73
Скорость чтения, Гб/сек

12.9 13.4
Скорость записи, Гб/сек

7.7 7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2028 1468

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB

модули RAM

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston 9905744-067.A00G 32GB

Kingston 9905744-067.A00G 32GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB

G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB

V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB

Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB

модули RAM

Corsair CMSA8GX3M1A1600C11 8GB

Corsair CMSA8GX3M1A1600C11 8GB

Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB

Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB

Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB

модули RAM