RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905744-067.A00G 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.3
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3097
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link