RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
74
Около -155% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.9
2,201.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
13.6
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
2419
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link