RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Сравнить
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB против Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
-->
Средняя оценка
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
59
Около 31% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.7
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
59
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
17.2
Скорость записи, Гб/сек
7.7
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2028
2181
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5402-052.A00G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link