RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Сравнить
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB против Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
-->
Средняя оценка
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
59
Около 31% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.7
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
59
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
17.2
Скорость записи, Гб/сек
7.7
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2028
2181
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5402-052.A00G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Ramaxel Technology RMR5030MN68F9F1600 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link