RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Сравнить
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
9.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
7.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
15.9
9.1
Скорость записи, Гб/сек
12.4
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2854
2046
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link