RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Porównaj
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
37
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
9.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
37
Prędkość odczytu, GB/s
15.9
9.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.4
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2854
2046
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link