Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB против G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB

-->

Средняя оценка

Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB

Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB

G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB

Причины выбрать
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

19 35

Около -84% меньшая задержка
Выше скорость чтения

20.2 15.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

18.1 9.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB

G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

35 19
Скорость чтения, Гб/сек

15.6 20.2
Скорость записи, Гб/сек

9.6 18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2625 3905

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

модули RAM

Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB

Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB

G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB

G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB

Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB

G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB

модули RAM

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB

Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston HX432C15PB3/16G 16GB

Kingston HX432C15PB3/16G 16GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB

Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB

модули RAM