RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Сравнить
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
32
Около 9% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
16.8
Скорость записи, Гб/сек
8.0
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1989
3579
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB Сравнения RAM
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology C 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link