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Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Compara
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Puntuación global
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
32
En 9% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1989
3579
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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