RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
12.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
87
Около -172% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
15.6
Скорость записи, Гб/сек
870.4
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
3279
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link