RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
50
Около -67% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.7
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
18.2
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
3533
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link