RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
10.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
87
Около -172% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
15.0
Скорость записи, Гб/сек
870.4
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2895
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link