RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Сравнить
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11.9
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
45
Около -50% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
30
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
11.2
Скорость записи, Гб/сек
8.1
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2077
2266
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link