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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB

Puntuación global
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Puntuación global
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    11.9 left arrow 11.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.1 left arrow 7.9
    Valor medio en las pruebas
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    30 left arrow 45
    En -50% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 12800
    En 1.66 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    45 left arrow 30
  • Velocidad de lectura, GB/s
    11.9 left arrow 11.2
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.1 left arrow 7.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2077 left arrow 2266

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM

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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
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Kingston KVR24N17S8/4 4GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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Kingston 9965669-005.A01G 16GB
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Memoria RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
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