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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.9
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
45
左右 -50% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
30
读取速度,GB/s
11.9
11.2
写入速度,GB/s
8.1
7.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2266
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Mushkin 991586 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
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