RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.9
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
45
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
2266
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905402-414.A00LF 2GB
Kingston 9905471-001.A00LF 2GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link