RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
60
Около 18% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
7.8
5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2.8
2,343.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
60
Скорость чтения, Гб/сек
5,135.8
7.8
Скорость записи, Гб/сек
2,343.1
2.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
843
1505
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB Сравнения RAM
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link