RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Comparar
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
49
60
Por volta de 18% menor latência
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
7.8
5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2.8
2,343.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
60
Velocidade de leitura, GB/s
5,135.8
7.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,343.1
2.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
843
1505
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB Comparações de RAM
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link