RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
87
Около -248% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
19.1
Скорость записи, Гб/сек
870.4
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
3845
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link