RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
74
87
Около -18% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
74
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
14.3
Скорость записи, Гб/сек
870.4
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
1779
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link