RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
87
Около -263% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
16.0
Скорость записи, Гб/сек
870.4
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2925
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link