RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
11.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
87
Около -222% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
11.4
Скорость записи, Гб/сек
870.4
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2062
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link