RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
6.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
87
Около -278% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
13.6
Скорость записи, Гб/сек
870.4
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2339
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link