TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB

-->

Средняя оценка

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Средняя оценка

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 13.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

870.4 6.7

Среднее значение в тестах

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB

Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 87

Около -278% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

87 23
Скорость чтения, Гб/сек

3,155.6 13.6
Скорость записи, Гб/сек

870.4 6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

417 2339

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Kingston 9905678-023.A00G 8GB

Kingston 9905678-023.A00G 8GB

модули RAM

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB

Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB

модули RAM

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB

модули RAM

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB

модули RAM

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N

модули RAM

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Kingston 9905678-024.A00G 4GB

Kingston 9905678-024.A00G 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB

Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB

Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB

Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N

модули RAM