TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Kingston KGTWW1-MIE 4GB

-->

Средняя оценка

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Средняя оценка

Kingston KGTWW1-MIE 4GB

Kingston KGTWW1-MIE 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

87 97

Около 10% меньшая задержка
Выше скорость чтения

3 15.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

870.4 6.7

Среднее значение в тестах

Kingston KGTWW1-MIE 4GB

Причины выбрать
Kingston KGTWW1-MIE 4GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

19200 5300

Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Kingston KGTWW1-MIE 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

87 97
Скорость чтения, Гб/сек

3,155.6 15.5
Скорость записи, Гб/сек

870.4 6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 19200

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

417 1479

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Kingston KGTWW1-MIE 4GB

Kingston KGTWW1-MIE 4GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB

модули RAM

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB

Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB

Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Kingston 9965596-035.B00G 4GB

Kingston 9965596-035.B00G 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB

Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB

Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB

модули RAM