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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston KGTWW1-MIE 4GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
87
97
左右 10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
3
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
6.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
97
读取速度,GB/s
3,155.6
15.5
写入速度,GB/s
870.4
6.7
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
1479
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
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