RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
87
Около -149% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
15.0
Скорость записи, Гб/сек
870.4
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2672
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link