RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
12.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
87
Около -156% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
15.8
Скорость записи, Гб/сек
870.4
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2902
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link