RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
870.4
6.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
87
Около -172% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.2
3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
9.2
Скорость записи, Гб/сек
870.4
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2017
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link