RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
87
Около -78% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
49
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
10.5
Скорость записи, Гб/сек
870.4
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2374
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link