RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
87
Около -222% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
17.4
Скорость записи, Гб/сек
870.4
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
3692
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link