RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
87
Около -222% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
17.4
Скорость записи, Гб/сек
870.4
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
3692
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link