RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
87
Autour de -222% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
3692
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link