TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

-->

Средняя оценка

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Средняя оценка

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 16.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

870.4 13.7

Среднее значение в тестах

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Причины выбрать
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 87

Около -211% меньшая задержка
Выше пропускная способность

21300 5300

Около 4.02 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

87 28
Скорость чтения, Гб/сек

3,155.6 16.6
Скорость записи, Гб/сек

870.4 13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 21300

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

417 3007

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB

Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB

модули RAM

Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair VS1GB800D2 1GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB

Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB

Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB

Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Kingston 99U5701-049.A00G 16GB

Kingston 99U5701-049.A00G 16GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB

модули RAM

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB

Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Kingston 9905624-013.A00G 8GB

Kingston 9905624-013.A00G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB

Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C

модули RAM