Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    44 left arrow 67
    Около 34% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13 left arrow 6.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.2 left arrow 3.4
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    44 left arrow 67
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.0 left arrow 6.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.2 left arrow 3.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2069 left arrow 1076
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения