RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
67
Около 34% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13
6.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.2
3.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
44
67
Скорость чтения, Гб/сек
13.0
6.2
Скорость записи, Гб/сек
8.2
3.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
12800
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2069
1076
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link