Porównanie pamięci RAM Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Wynik ogólny

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

44 67

Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

13 6.2

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

8.2 3.4

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2069 1076

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns