RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Comparez
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Note globale
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
44
67
Autour de 34% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13
6.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
3.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
44
67
Vitesse de lecture, GB/s
13.0
6.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
3.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
12800
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2069
1076
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston 99P5474-013.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link