Comparação RAM Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Pontuação geral

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

44 67

Por volta de 34% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

13 6.2

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

8.2 3.4

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2069 1076

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns