RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
17.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
33
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
26
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
17.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
3055
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link