RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
11.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
87
Около -149% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
15.5
Скорость записи, Гб/сек
870.4
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2848
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link