TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB

-->

Средняя оценка

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Средняя оценка

SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 15.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

870.4 10.6

Среднее значение в тестах

SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB

Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 87

Около -263% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

87 24
Скорость чтения, Гб/сек

3,155.6 15.4
Скорость записи, Гб/сек

870.4 10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

417 2462

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB

Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB

Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

модули RAM

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB

Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB

Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70QH0-CMA 16GB

Samsung M393B2G70QH0-CMA 16GB

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB

G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston KCRXJ6-MIE 16GB

Kingston KCRXJ6-MIE 16GB

модули RAM

Transcend Information TS9W9NESD-I 8GB

Transcend Information TS9W9NESD-I 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B-16F 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB

Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB

Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB

модули RAM