RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Super Talent F24EA8GS 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Super Talent F24EA8GS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
87
92
Около 5% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
9.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Super Talent F24EA8GS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
92
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
11.6
Скорость записи, Гб/сек
870.4
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
1776
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Super Talent F24EA8GS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link