TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB

-->

Средняя оценка

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Средняя оценка

UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB

UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 16

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

870.4 11.5

Среднее значение в тестах

UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB

Причины выбрать
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 87

Около -263% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

87 24
Скорость чтения, Гб/сек

3,155.6 16.0
Скорость записи, Гб/сек

870.4 11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

417 2432

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB

Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Kingston KTD3KX-HYA 8GB

Kingston KTD3KX-HYA 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB

модули RAM

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Kingston 9905713-035.A00G 8GB

Kingston 9905713-035.A00G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB

Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Kingston 9965669-027.A00G 16GB

Kingston 9965669-027.A00G 16GB

модули RAM

Mushkin 991586 2GB

Mushkin 991586 2GB

Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB

Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB

Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB

модули RAM

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB

G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB

Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB

модули RAM

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB

SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB

модули RAM