RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
87
Около -263% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
16.0
Скорость записи, Гб/сек
870.4
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2432
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link