RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
11.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
87
En -263% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
24
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
2432
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link